Vertical GaN on Silicon: Wide Band Gap Power at Silicon Cost
Der vorliegende Antrag zielt darauf ab, eine neue Klasse vertikaler GaN-MOSFETs auf einem kostengünstigen Substrat zu entwickeln, die die Leistung von SiC- zu IGBT-Kosten erreichen. Niedrige Kosten werden durch die Verwendung von heteroepitaktischen GaN-Transistorschichten erzielt, die auf kostengünstigen…