Cleaning, Conditioning and Analysis of SiC Semiconductor Surfaces: Influence on Device Characteristics and Processing
Aufgrund der stetig wachsenden Anforderungen an die Leistungshalbleiter ist die Silizium (Si) Technologie mittlerweile an ihren physikalischen Grenzen angelangt. Dementsprechend müssen neue innovative Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) besser erforscht und adäquat genutzt werden. Bisher sind diese…