Technology-Computer-Aided-Design (TCAD) wird in der Halbleiterindustrie in praktisch allen Phasen der Entwicklung von integrierten Bauelemente eingesetzt. Moderne TCAD-Werkzeuge für den Bauelemente-Entwurf basieren auf halbklassischen Transportmodellen wie etwa dem Drift-Diffusionsmodell oder der Boltzmann-Transportgleichung.…

Die weitere Transistorskalierung nach dem Mooreschen Gesetz stieß auf mehrere Hindernisse, nachdem die Skalierung von planaren Bauelementen physikalisch nicht mehr möglich war. Die Einführung von nichtplanaren FinFETs hat es ermöglicht, die Skalierung weiter fortzusetzen, aber dies ist nur bis zum 3nm…

Es gibt eine stetig wachsende Nachfrage nach Halbleiterbauelementen mit minimaler Leistungsaufnahme (Low-Power Elektronik). Dieses gilt für konventionelle Datenverarbeitung, aber auch im Speziellen für neue Entwicklungen wie dem Internet der Dinge (IoT) und der Industrie 4.0. Zwei Arten von energiesparsamen…

Nach jahrelanger Arbeit mit ultra-reinem Silizium als Substratmaterial für Teilchendetektoren hat der PI dieses Proposals mit seiner Arbeitsgruppe kürzlich begonnen, Siliziumkarbid (SiC) als mögliche Alternative dazu zu untersuchen. Dieses Verbundmaterial aus Silizium und Kohlenstoff, das vom Namen…